電容充放電測(cè)試儀

問(wèn)題主要表現(xiàn)為：
1）對(duì)電源放電時(shí)速度很慢(10-100毫秒)，而實(shí)際上對(duì)負(fù)載放電一般在微秒到毫秒；
2）對(duì)電源放電時(shí)待測(cè)電壓線形下降, 而對(duì)負(fù)載放電時(shí)電壓是指數(shù)下降；
3）電滯回線測(cè)量過(guò)程中程序控制的實(shí)際是電源輸出電壓（假設(shè)樣品電壓與電源電壓一樣），樣品能量放回到了高壓電源；
4）對(duì)負(fù)載放電時(shí)如同自由落體，電壓*由樣品性能，負(fù)載（阻抗），與其中接線而定?？梢赃x擇一個(gè)與應(yīng)用相似的負(fù)載（成比例縮?。亩鴾y(cè)得一個(gè)與應(yīng)用相關(guān)的能量密度；
5）一般情況下由電滯回線測(cè)得的能量密度大于電容實(shí)際應(yīng)用時(shí)能放出的能量密度，可能會(huì)誤導(dǎo)用戶；

為了更好的解決以上存在的實(shí)際測(cè)試問(wèn)題，PolyK公司開(kāi)發(fā)了該測(cè)試儀器，主要用于研究電容的高電壓放電性能，根據(jù)所選型號(hào)，電容樣品可以在100皮法到100微法。

電容充放電測(cè)試儀

主要特點(diǎn)：

1）本測(cè)試儀使用特殊高壓開(kāi)關(guān)，分別控制充放電過(guò)程，其中放電開(kāi)關(guān)速度快，相應(yīng)速度在納秒量級(jí)；
2）使用高壓無(wú)感電阻作為放電負(fù)載，放出的能量有示波器采集，并經(jīng)過(guò)程序分析直接給出放電能量密度；
3）兩種操作模式:
    -手動(dòng)控制：用戶手動(dòng)控制充放電開(kāi)關(guān)；
    -自動(dòng)控制：計(jì)算機(jī)程序自動(dòng)控制測(cè)試過(guò)程，并保存測(cè)試結(jié)果。尤其適合長(zhǎng)期充放電壽命測(cè)試；

主要規(guī)格：
1）測(cè)試電壓: 10 kV (由所選高壓開(kāi)關(guān)決定)；
2）樣品電容: < 100 pF to > 100 μF；
3）放電大電流: < 15 A（放電開(kāi)關(guān)型號(hào)決定）；
4）放電電阻: < 1Ω to > 1 MΩ；
5）放電速度: 高壓MOSFET 開(kāi)關(guān), 放電速度< 100納秒；
6）測(cè)試電流與電壓所用電源，樣品大小與放電電阻綜合決定；
7）設(shè)備選項(xiàng)：測(cè)試溫度可以保存；

新加功能：
1）測(cè)試介電壓電材料的介電擊穿強(qiáng)度：直流電擊穿，在恒定直流電壓擊穿時(shí)間（耐壓時(shí)間），交流擊穿強(qiáng)度，在恒定交流電壓擊穿時(shí)間（耐壓時(shí)間）；
2）能同時(shí)測(cè)試放電電流（在一定電流范圍內(nèi)）；
3）內(nèi)置示波器；
4）許使用特定的電感/電阻組合，研究放電震蕩；
5）允許反向電壓/電流；
6）提供軟硬件使得用戶可以極化壓電材料；
7）測(cè)試夾具；
8）定制低壓充放電測(cè)試薄膜樣品（100伏）；