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薄膜生長速率測試儀的特點(diǎn)有哪些?

 更新時(shí)間:2021-10-14 點(diǎn)擊量:1243
薄膜生長速率測試儀采用無損的激光技術(shù)實(shí)時(shí)原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量(n&k),可廣泛的應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過程的實(shí)時(shí)原位監(jiān)控。

薄膜生長速率測試儀
的特點(diǎn):

1、實(shí)時(shí)薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)(n&k)分析,同時(shí)標(biāo)準(zhǔn)偏差統(tǒng)計(jì)分析


2、自動(dòng)程序化校準(zhǔn)


3、精密的實(shí)時(shí)反饋系統(tǒng)


4、程序控制,可實(shí)時(shí)多層薄膜沉積監(jiān)控和控制


5、多Wafer監(jiān)控功能


6、Wafer基底旋轉(zhuǎn)監(jiān)控和控制功能


7、所有參量原位實(shí)時(shí)檢測


8、操作裝配簡單便捷